TSC (Taiwan Semiconductor)
DIODE GEN PURP 1KV 4A DO214AB (S4M R7G)
Part Number: S4M R7G
Documents / Media: datasheets S4M R7G
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: -
- Состояние детали: Not For New Designs
- Тип диода: Standard
- Максимальное обратное напряжение (Vr): 1000V
- Прямой ток (If) (Max): 4A
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 1.15V @ 4A
- Скорость: Fast Recovery = 200mA (Io)
- Время восстановления запорного слоя (trr): -
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 10µA @ 1000V
- Емкость @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: DO-214AB, SMC
- Исполнение корпуса: DO-214AB (SMC)
- Рабочая температура pn-прехода: -55°C ~ 150°C
Цена по запросу